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TPH4R003NL,L1Q

TPH4R003NL,L1Q

Solo per riferimento

Numero parte TPH4R003NL,L1Q
PNEDA Part # TPH4R003NL-L1Q
Descrizione MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 33.012
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TPH4R003NL Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTPH4R003NL,L1Q
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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TPH4R003NL Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.8nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHFR320-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

PMZB350UPE,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

127pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta), 3.125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006B-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

IPC60R165CPX1SA4

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IPP60R280CFD7XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CFD7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

807pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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