PMZB350UPE,315
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| Numero parte | PMZB350UPE,315 |
| PNEDA Part # | PMZB350UPE-315 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMZB350UPE Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMZB350UPE,315 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PMZB350UPE Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 127pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta), 3.125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
| Pacchetto / Custodia | 3-XFDFN |
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