TPC8213-H(TE12LQ,M
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Numero parte | TPC8213-H(TE12LQ,M |
PNEDA Part # | TPC8213-H-TE12LQ-M |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.276 |
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TPC8213-H(TE12LQ Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TPC8213-H(TE12LQ,M |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
TPC8213-H(TE12LQ, TPC8213-H(TE12LQ Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 221,78 KB)
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TPC8213-H(TE12LQ Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 10V |
Potenza - Max | 450mW |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
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