TPC6107(TE85L,F,M)
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| Numero parte | TPC6107(TE85L,F,M) |
| PNEDA Part # | TPC6107-TE85L-F-M |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.474 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPC6107(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPC6107(TE85L,F,M) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPC6107(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIV |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VS-6 (2.9x2.8) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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