IRLR4343-701PBF
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| Numero parte | IRLR4343-701PBF |
| PNEDA Part # | IRLR4343-701PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.040 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRLR4343-701PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRLR4343-701PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRLR4343-701PBF, IRLR4343-701PBF Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 249,58 KB)
  
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IRLR4343-701PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK (LF701) |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
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