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TF262TH-5-TL-H

TF262TH-5-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte TF262TH-5-TL-H
PNEDA Part # TF262TH-5-TL-H
Descrizione JFET N-CH 1MA 100MW
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TF262TH-5-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTF262TH-5-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
TF262TH-5-TL-H, TF262TH-5-TL-H Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 977,16 KB)
PDFTF262TH-5-TL-H Datasheet Copertura
TF262TH-5-TL-H Datasheet Pagina 2 TF262TH-5-TL-H Datasheet Pagina 3 TF262TH-5-TL-H Datasheet Pagina 4 TF262TH-5-TL-H Datasheet Pagina 5 TF262TH-5-TL-H Datasheet Pagina 6

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TF262TH-5-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)210µA @ 2V
Corrente assorbita (Id) - Max1mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id200mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3.5pF @ 2V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max100mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreVTFP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

8 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JANTX2N4859

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

25 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

TF256TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-VTFP

2N5461_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSK596CBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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