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KSK596CBU

KSK596CBU

Solo per riferimento

Numero parte KSK596CBU
PNEDA Part # KSK596CBU
Descrizione JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
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KSK596CBU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSK596CBU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
KSK596CBU, KSK596CBU Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 47,49 KB)
PDFKSK596ABU Datasheet Copertura
KSK596ABU Datasheet Pagina 2 KSK596ABU Datasheet Pagina 3 KSK596ABU Datasheet Pagina 4 KSK596ABU Datasheet Pagina 5

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KSK596CBU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)20V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100µA @ 5V
Corrente assorbita (Id) - Max1mA
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id600mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3.5pF @ 5V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max100mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Short Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92S

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30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

20mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

40 Ohms

Potenza - Max

360mW

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.5V @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

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