STP77N6F6
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| Numero parte | STP77N6F6 |
| PNEDA Part # | STP77N6F6 |
| Descrizione | MOSFET N CH 60V 77A TO-220 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.698 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 6 - lug 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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STP77N6F6 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STP77N6F6 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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STP77N6F6 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 38.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V Vgs (massimo) ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 350mW (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 143A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 71.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1036nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 833W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SP4 Pacchetto / Custodia SP4 |
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