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STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

Solo per riferimento

Numero parte STGWT60H65DFB
PNEDA Part # STGWT60H65DFB
Descrizione IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.252
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGWT60H65DFB Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGWT60H65DFB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGWT60H65DFB, STGWT60H65DFB Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 1.574,09 KB)
PDFSTGW60H65DFB Datasheet Copertura
STGW60H65DFB Datasheet Pagina 2 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 3 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 4 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 5 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 6 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 7 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 8 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 9 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 10 STGW60H65DFB Datasheet Pagina 11

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STGWT60H65DFB Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
Potenza - Max375W
Switching Energy1.09mJ (on), 626µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge306nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C51ns/160ns
Condizione di test400V, 60A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

Potenza - Max

214W

Switching Energy

760µJ (on), 720µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/143ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

110µJ (on), 135µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/215ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.2A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

3.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

Potenza - Max

28W

Switching Energy

140µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/370ns

Condizione di test

800V, 1A, 241Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

IRG4BC30KD-STRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

600µJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

67nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/160ns

Condizione di test

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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IXYS

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-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

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280W

Switching Energy

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Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/110ns

Condizione di test

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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