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IRGIB6B60KD116P

IRGIB6B60KD116P

Solo per riferimento

Numero parte IRGIB6B60KD116P
PNEDA Part # IRGIB6B60KD116P
Descrizione IGBT 600V 11A 38W TO220FP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRGIB6B60KD116P Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRGIB6B60KD116P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRGIB6B60KD116P, IRGIB6B60KD116P Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 277,25 KB)
PDFIRGIB6B60KD116P Datasheet Copertura
IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 2 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 3 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 4 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 5 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 6 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 7 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 8 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 9 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 10 IRGIB6B60KD116P Datasheet Pagina 11

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IRGIB6B60KD116P Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)11A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 5A
Potenza - Max38W
Switching Energy110µJ (on), 135µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge18.2nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/215ns
Condizione di test400V, 5A, 100Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)70ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB Full-Pak

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.2A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Potenza - Max

62W

Switching Energy

220µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/260ns

Condizione di test

800V, 2A, 91Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3-1

IGC99T120T8RLX1SA3

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.97V @ 15V, 100A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

STGD7NB120S-1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Potenza - Max

55W

Switching Energy

15mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

29nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

570ns/-

Condizione di test

960V, 7A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.09mJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

204nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/502ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

110µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/116ns

Condizione di test

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

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