STFI130N10F3
Solo per riferimento
| Numero parte | STFI130N10F3 |
| PNEDA Part # | STFI130N10F3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 17.262 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STFI130N10F3 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | STFI130N10F3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STFI130N10F3, STFI130N10F3 Datasheet
(Totale pagine: 23, Dimensioni: 1.213,66 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- STFI130N10F3 Datasheet
- where to find STFI130N10F3
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STFI130N10F3
- STFI130N10F3 PDF Datasheet
- STFI130N10F3 Stock
- STFI130N10F3 Pinout
- Datasheet STFI130N10F3
- STFI130N10F3 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STFI130N10F3 Price
- STFI130N10F3 Distributor
STFI130N10F3 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3305pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 882pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5720pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
