SSM6N39TU,LF
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| Numero parte | SSM6N39TU,LF |
| PNEDA Part # | SSM6N39TU-LF |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.186 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6N39TU Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6N39TU,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SSM6N39TU Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UF6 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
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