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SSM3K357R,LF

SSM3K357R,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM3K357R,LF
PNEDA Part # SSM3K357R-LF
Descrizione X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.024
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSM3K357R Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM3K357R,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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SSM3K357R Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serieπ-MOSV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C650mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23F
Pacchetto / CustodiaSOT-23-3 Flat Leads

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1037pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 23W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

SCTH90N65G2V-7

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

157nC @ 18V

Vgs (massimo)

+22V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2PAK-7

Pacchetto / Custodia

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

SI4456DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5670pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

208W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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