IRGP4750D-EPBF
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| Numero parte | IRGP4750D-EPBF |
| PNEDA Part # | IRGP4750D-EPBF |
| Descrizione | IGBT 650V 70A 273W TO247AD |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.992 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 22 - apr 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRGP4750D-EPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRGP4750D-EPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
IRGP4750D-EPBF, IRGP4750D-EPBF Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 665,84 KB)
  
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IRGP4750D-EPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 70A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 273W |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 500µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 105nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/105ns |
| Condizione di test | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
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