SPV1001N30
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| Numero parte | SPV1001N30 |
| PNEDA Part # | SPV1001N30 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.652 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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SPV1001N30 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SPV1001N30 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SPV1001N30 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 12.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 30V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -45°C ~ 150°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 16000V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 16V @ 12A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 4µA @ 16000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 150V Capacità @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore Mini MELF Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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