Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SPP100N04S2-04

SPP100N04S2-04

Solo per riferimento

Numero parte SPP100N04S2-04
PNEDA Part # SPP100N04S2-04
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.078
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SPP100N04S2-04 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSPP100N04S2-04
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SPP100N04S2-04, SPP100N04S2-04 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 311,69 KB)
PDFSPP100N04S2-04 Datasheet Copertura
SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 2 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 3 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 4 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 5 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 6 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 7 SPP100N04S2-04 Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • SPP100N04S2-04 Datasheet
  • where to find SPP100N04S2-04
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies SPP100N04S2-04
  • SPP100N04S2-04 PDF Datasheet
  • SPP100N04S2-04 Stock

  • SPP100N04S2-04 Pinout
  • Datasheet SPP100N04S2-04
  • SPP100N04S2-04 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • SPP100N04S2-04 Price
  • SPP100N04S2-04 Distributor

SPP100N04S2-04 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs172nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7220pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF9Z34STRL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RJK0349DSP-01#J0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3850pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 630µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

151W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-VSON-4

Pacchetto / Custodia

4-PowerTSFN

IRF3707ZCL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPW65R041CFDFKSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CFD2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

68.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 33.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

FDLL4148

FDLL4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA LL34

74HC123D

74HC123D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MULTIVIBRATR DUAL MONO 16SOIC

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

ELXY500ETC560MF15D

ELXY500ETC560MF15D

United Chemi-Con

CAP ALUM 56UF 20% 50V RADIAL

EL5211IYEZ-T13

EL5211IYEZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8HMSOP

STM32H743VIT6

STM32H743VIT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100LQFP

CDBK0520L-HF

CDBK0520L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

0154002.DRT

0154002.DRT

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

DAN217UMTL

DAN217UMTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD3F

S34ML08G101BHI000

S34ML08G101BHI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528