SP8M5FRATB
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| Numero parte | SP8M5FRATB |
| PNEDA Part # | SP8M5FRATB |
| Descrizione | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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SP8M5FRATB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SP8M5FRATB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SP8M5FRATB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 731pF @ 20V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V Potenza - Max 1.28W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
