SP8M5FRATB
Solo per riferimento
| Numero parte | SP8M5FRATB |
| PNEDA Part # | SP8M5FRATB |
| Descrizione | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SP8M5FRATB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SP8M5FRATB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SP8M5FRATB Datasheet
- where to find SP8M5FRATB
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor SP8M5FRATB
- SP8M5FRATB PDF Datasheet
- SP8M5FRATB Stock
- SP8M5FRATB Pinout
- Datasheet SP8M5FRATB
- SP8M5FRATB Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- SP8M5FRATB Price
- SP8M5FRATB Distributor
SP8M5FRATB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate, 5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V Potenza - Max 2.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-WSON (2x2) |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V Potenza - Max 1.28W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-µDFN (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
