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SLA5065 LF830

SLA5065 LF830

Solo per riferimento

Numero parte SLA5065 LF830
PNEDA Part # SLA5065-LF830
Descrizione MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.482
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SLA5065 LF830 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSLA5065 LF830
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SLA5065 LF830, SLA5065 LF830 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 787,1 KB)
PDFSLA5065 LF830 Datasheet Copertura
SLA5065 LF830 Datasheet Pagina 2

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SLA5065 LF830 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FET4 N-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 10V
Potenza - Max4.8W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia15-SIP
Pacchetto dispositivo fornitore15-SIP

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

246pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

66.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 2A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Potenza - Max

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