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NX3008NBKSH

NX3008NBKSH

Solo per riferimento

Numero parte NX3008NBKSH
PNEDA Part # NX3008NBKSH
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX3008NBKSH Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX3008NBKSH
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX3008NBKSH, NX3008NBKSH Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.618,93 KB)
PDFNX3008NBKSH Datasheet Copertura
NX3008NBKSH Datasheet Pagina 2 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 3 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 4 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 5 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 6 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 7 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 8 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 9 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 10 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 11

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NX3008NBKSH Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
Potenza - Max445mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 10V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

APTC60HM70T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Potenza - Max

250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V

Potenza - Max

580mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

SI8901EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-MICRO FOOT®CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

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