SIZ320DT-T1-GE3
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| Numero parte | SIZ320DT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIZ320DT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 28.218 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIZ320DT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIZ320DT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIZ320DT-T1-GE3, SIZ320DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 362,6 KB)
  
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SIZ320DT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| Potenza - Max | 16.7W, 31W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) |
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