SI3585DV-T1-E3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI3585DV-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SI3585DV-T1-E3 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.048 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI3585DV-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI3585DV-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI3585DV-T1-E3, SI3585DV-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 129,1 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI3585DV-T1-E3 Datasheet
- where to find SI3585DV-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3
- SI3585DV-T1-E3 PDF Datasheet
- SI3585DV-T1-E3 Stock
- SI3585DV-T1-E3 Pinout
- Datasheet SI3585DV-T1-E3
- SI3585DV-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI3585DV-T1-E3 Price
- SI3585DV-T1-E3 Distributor
SI3585DV-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 830mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V Potenza - Max 20.2W, 40W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A, 6.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 751pF @ 10V Potenza - Max 2.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-4L |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 15V Potenza - Max 510mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-HUSON-EP (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 65.9pF @ 25V Potenza - Max 390mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1310-6 (Type B) |
Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V Potenza - Max - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
