SIHB12N50E-GE3
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| Numero parte | SIHB12N50E-GE3 |
| PNEDA Part # | SIHB12N50E-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.094 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIHB12N50E-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIHB12N50E-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SIHB12N50E-GE3, SIHB12N50E-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 204,6 KB)
  
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SIHB12N50E-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 114W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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