PSMN1R8-40YLC,115
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| Numero parte | PSMN1R8-40YLC,115 |
| PNEDA Part # | PSMN1R8-40YLC-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 659.514 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN1R8-40YLC Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN1R8-40YLC,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN1R8-40YLC, PSMN1R8-40YLC Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 740,59 KB)
  
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PSMN1R8-40YLC Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6680pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 272W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 75W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-204AA Pacchetto / Custodia TO-204AA, TO-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 695pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK33 Pacchetto / Custodia SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 306W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1720pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1135W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PLUS264™ Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA |
