SIF912EDZ-T1-E3
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| Numero parte | SIF912EDZ-T1-E3 |
| PNEDA Part # | SIF912EDZ-T1-E3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.186 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIF912EDZ-T1-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIF912EDZ-T1-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIF912EDZ-T1-E3, SIF912EDZ-T1-E3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 101,37 KB)
  
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SIF912EDZ-T1-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.6W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 2x5 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® (2x5) |
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