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DMC4050SSDQ-13

DMC4050SSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMC4050SSDQ-13
PNEDA Part # DMC4050SSDQ-13
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.060
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC4050SSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC4050SSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC4050SSDQ-13, DMC4050SSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 282,67 KB)
PDFDMC4050SSDQ-13 Datasheet Copertura
DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 7 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 8 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 9 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 10 DMC4050SSDQ-13 Datasheet Pagina 11

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  • DMC4050SSDQ-13 Distributor

DMC4050SSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1790.8pF @ 20V
Potenza - Max1.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 24V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 20V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

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