SIDC23D120H6X1SA1
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| Numero parte | SIDC23D120H6X1SA1 |
| PNEDA Part # | SIDC23D120H6X1SA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIDC23D120H6X1SA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIDC23D120H6X1SA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SIDC23D120H6X1SA1, SIDC23D120H6X1SA1 Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 243,09 KB)
  
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SIDC23D120H6X1SA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 35A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 35A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2500V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3.45V @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 2500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 470mV @ 10A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
