SIDC23D120H6X1SA1
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| Numero parte | SIDC23D120H6X1SA1 |
| PNEDA Part # | SIDC23D120H6X1SA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIDC23D120H6X1SA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIDC23D120H6X1SA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
SIDC23D120H6X1SA1, SIDC23D120H6X1SA1 Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 243,09 KB)
  
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SIDC23D120H6X1SA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 35A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 35A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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