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SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI7904BDN-T1-E3
PNEDA Part # SI7904BDN-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
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Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7904BDN-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7904BDN-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7904BDN-T1-E3, SI7904BDN-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 551,33 KB)
PDFSI7904BDN-T1-E3 Datasheet Copertura
SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 7 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 8 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 9 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 10 SI7904BDN-T1-E3 Datasheet Pagina 11

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SI7904BDN-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Potenza - Max17.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8 Dual

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8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2367pF @ 15V

Potenza - Max

3.9W

Temperatura di esercizio

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Vishay Siliconix

Produttore

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Serie

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.15W

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

Potenza - Max

46W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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