Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NTHD2102PT1

NTHD2102PT1

Solo per riferimento

Numero parte NTHD2102PT1
PNEDA Part # NTHD2102PT1
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.662
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHD2102PT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHD2102PT1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTHD2102PT1, NTHD2102PT1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 63,74 KB)
PDFNTHD2102PT1G Datasheet Copertura
NTHD2102PT1G Datasheet Pagina 2 NTHD2102PT1G Datasheet Pagina 3 NTHD2102PT1G Datasheet Pagina 4 NTHD2102PT1G Datasheet Pagina 5 NTHD2102PT1G Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NTHD2102PT1 Datasheet
  • where to find NTHD2102PT1
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTHD2102PT1
  • NTHD2102PT1 PDF Datasheet
  • NTHD2102PT1 Stock

  • NTHD2102PT1 Pinout
  • Datasheet NTHD2102PT1
  • NTHD2102PT1 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTHD2102PT1 Price
  • NTHD2102PT1 Distributor

NTHD2102PT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 2.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6.4V
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

I prodotti a cui potresti essere interessato

SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

SI4940DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI7224DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Potenza - Max

17.8W, 23W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

SI5935DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

SI9955DY

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Venduto di recente

IRF9310TRPBF

IRF9310TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

1206L050/15YR

1206L050/15YR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 15V 500MA 1206

0001.2536

0001.2536

Schurter

FUSE CER 16A 250VAC 63VDC 3AB

74279221111

74279221111

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

USB3320C-EZK-TR

USB3320C-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN

LTM8046MPY#PBF

LTM8046MPY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 1.8-12V

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

ADP191ACBZ-R7

ADP191ACBZ-R7

Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

KSZ9031RNXIC-TR

KSZ9031RNXIC-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN