SI5922DU-T1-GE3
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Numero parte | SI5922DU-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI5922DU-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.888 |
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SI5922DU-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI5922DU-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI5922DU-T1-GE3, SI5922DU-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 169,54 KB)
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SI5922DU-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 15V |
Potenza - Max | 10.4W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
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