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SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI5504DC-T1-GE3
PNEDA Part # SI5504DC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 8.460
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Garanzia Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI5504DC-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
Mfr. Numero di parteSI5504DC-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 120,21 KB)
PDFSI5504DC-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 8

SI5504DC-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

HUFA76407DK8T-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

130mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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