SI5504DC-T1-GE3
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| Numero parte | SI5504DC-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI5504DC-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI5504DC-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI5504DC-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 120,21 KB)
  
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SI5504DC-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V Potenza - Max 390W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 540mA, 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 72pF @ 16V Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 20V Potenza - Max 48W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
