Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SI5504DC-T1-GE3 Datasheet

SI5504DC-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 120,21 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: SI5504DC-T1-GE3, SI5504DC-T1-E3
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 1
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 2
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 3
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 4
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 5
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 6
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 7
SI5504DC-T1-GE3 Datasheet Pagina 8
SI5504DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

SI5504DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™