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SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4818DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4818DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4818DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4818DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4818DY-T1-E3, SI4818DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 133,68 KB)
PDFSI4818DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI4818DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1W, 1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC75-6 FLMP

Pacchetto dispositivo fornitore

SC75-6 FLMP

SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.13A, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

570mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

420mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A, 156A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

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