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SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4818DY-T1-E3
PNEDA Part # SI4818DY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4818DY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4818DY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4818DY-T1-E3, SI4818DY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 133,68 KB)
PDFSI4818DY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4818DY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9

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SI4818DY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1W, 1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.13A, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

570mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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