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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI4814BDY-T1-GE3
PNEDA Part # SI4814BDY-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4814BDY-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4814BDY-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4814BDY-T1-GE3, SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 193,63 KB)
PDFSI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SI4814BDY-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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  • SI4814BDY-T1-GE3 Distributor

SI4814BDY-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max3.3W, 3.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.58nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50.54pF @ 25V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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