SI3909DV-T1-GE3
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Numero parte | SI3909DV-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI3909DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.104 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI3909DV-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI3909DV-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI3909DV-T1-GE3, SI3909DV-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 104,59 KB)
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SI3909DV-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.15W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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