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SI1972DH-T1-GE3

SI1972DH-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI1972DH-T1-GE3
PNEDA Part # SI1972DH-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1972DH-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1972DH-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1972DH-T1-GE3, SI1972DH-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 117,34 KB)
PDFSI1972DH-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI1972DH-T1-GE3 Datasheet Pagina 7

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SI1972DH-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 15V
Potenza - Max1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 10V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

942pF @ 50V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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