DMN2029USD-13
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| Numero parte | DMN2029USD-13 |
| PNEDA Part # | DMN2029USD-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.596 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN2029USD-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2029USD-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2029USD-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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