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S6B

S6B

Solo per riferimento

Numero parte S6B
PNEDA Part # S6B
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.442
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S6B Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS6B
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
S6B, S6B Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 771,15 KB)
PDFS6JR Datasheet Copertura
S6JR Datasheet Pagina 2 S6JR Datasheet Pagina 3

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S6B Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 6A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-4
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 25V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-80 MiniMELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

VS-25ETS10STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.14V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

1N3595UR-1

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

125V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1nA @ 125V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

1N4006GP

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 40A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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