VS-25ETS10STRR-M3
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| Numero parte | VS-25ETS10STRR-M3 |
| PNEDA Part # | VS-25ETS10STRR-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.140 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-25ETS10STRR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-25ETS10STRR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-25ETS10STRR-M3, VS-25ETS10STRR-M3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 235,92 KB)
  
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VS-25ETS10STRR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 25A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 25A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 10V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0503 (1308 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 0503/SOD-723F Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 15mA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-55 T-Module Pacchetto dispositivo fornitore D-55 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 12A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 650V Capacità @ Vr, F 600pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FM Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 210A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.67V @ 180A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore HALF-PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
