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S25FL256SDPMFV010

S25FL256SDPMFV010

Solo per riferimento

Numero parte S25FL256SDPMFV010
PNEDA Part # S25FL256SDPMFV010
Descrizione IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S25FL256SDPMFV010 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS25FL256SDPMFV010
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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S25FL256SDPMFV010 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieFL-S
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock66MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-J

S99-50343

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT40A2G8VA-062E:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

16Gb (4G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

19ns

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (10x11)

IS45S32400E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

JS28F256J3F105B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

105ns

Tempo di accesso

105ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

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