RU 2BV1
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| Numero parte | RU 2BV1 |
| PNEDA Part # | RU-2BV1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL |
| Produttore | Sanken |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.510 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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RU 2BV1 Risorse
| Brand | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RU 2BV1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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RU 2BV1 Specifiche
| Produttore | Sanken |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R6, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 40A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 450ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
