RRE02VS4SGTR
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| Numero parte | RRE02VS4SGTR |
| PNEDA Part # | RRE02VS4SGTR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.698 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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RRE02VS4SGTR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RRE02VS4SGTR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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RRE02VS4SGTR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 2-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMD2S |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.47V @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 450ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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