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RJP60D0DPE-00#J3

RJP60D0DPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJP60D0DPE-00#J3
PNEDA Part # RJP60D0DPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 45A 122W LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.000
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJP60D0DPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJP60D0DPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJP60D0DPE-00#J3, RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 77,21 KB)
PDFRJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Copertura
RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 2 RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 3 RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 4 RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 5 RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 6 RJP60D0DPE-00#J3 Datasheet Pagina 7

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RJP60D0DPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
Potenza - Max122W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge45nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/90ns
Condizione di test300V, 22A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

76A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

390µJ (on), 632µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/105ns

Condizione di test

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

188A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

490A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1150W

Switching Energy

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/123ns

Condizione di test

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXYK)

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 120A

Potenza - Max

540W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

192W

Switching Energy

1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

220nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/210ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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