NGTB30N120IHSWG
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| Numero parte | NGTB30N120IHSWG |
| PNEDA Part # | NGTB30N120IHSWG |
| Descrizione | IGBT 1200V 30A TO247 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.382 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTB30N120IHSWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTB30N120IHSWG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
NGTB30N120IHSWG, NGTB30N120IHSWG Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 167,77 KB)
  
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NGTB30N120IHSWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 192W |
| Switching Energy | 1mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | -/210ns |
| Condizione di test | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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