Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

RFP30P05

RFP30P05

Solo per riferimento

Numero parte RFP30P05
PNEDA Part # RFP30P05
Descrizione MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RFP30P05 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRFP30P05
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
RFP30P05, RFP30P05 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 370,58 KB)
PDFRFP30P05 Datasheet Copertura
RFP30P05 Datasheet Pagina 2 RFP30P05 Datasheet Pagina 3 RFP30P05 Datasheet Pagina 4 RFP30P05 Datasheet Pagina 5 RFP30P05 Datasheet Pagina 6 RFP30P05 Datasheet Pagina 7 RFP30P05 Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • RFP30P05 Datasheet
  • where to find RFP30P05
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor RFP30P05
  • RFP30P05 PDF Datasheet
  • RFP30P05 Stock

  • RFP30P05 Pinout
  • Datasheet RFP30P05
  • RFP30P05 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • RFP30P05 Price
  • RFP30P05 Distributor

RFP30P05 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 20V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3200pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

SI2333DS-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STW18N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IXKR25N80C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

355nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

TSM22P10CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

DMP3017SFK-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4414pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2523-6

Pacchetto / Custodia

6-PowerUDFN

Venduto di recente

ADP1708ACPZ-R7

ADP1708ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8LFCSP

3-1462039-1

3-1462039-1

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 12VDC

SS-5-1A-AP

SS-5-1A-AP

Eaton - Electronics Division

FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

LPC1768FBD100,551

LPC1768FBD100,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

STM32F103RCT6

STM32F103RCT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

MAX3002EUP+

MAX3002EUP+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP