QS6M3TR
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| Numero parte | QS6M3TR |
| PNEDA Part # | QS6M3TR |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 280.818 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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QS6M3TR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | QS6M3TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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QS6M3TR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V, 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 15V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
