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PSDC217E3730833NOSA1

PSDC217E3730833NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte PSDC217E3730833NOSA1
PNEDA Part # PSDC217E3730833NOSA1
Descrizione MOD IGBT STACK PSAO-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSDC217E3730833NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSDC217E3730833NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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PSDC217E3730833NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

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Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF225R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

320A

Potenza - Max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM100GB120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT150DH120G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

FS200R12PT4PBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 4

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

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