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PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ

Solo per riferimento

Numero parte PMDXB1200UPEZ
PNEDA Part # PMDXB1200UPEZ
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 105.240
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDXB1200UPEZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDXB1200UPEZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDXB1200UPEZ, PMDXB1200UPEZ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 718,12 KB)
PDFPMDXB1200UPEZ Datasheet Copertura
PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 2 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 3 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 4 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 5 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 6 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 7 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 8 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 9 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 10 PMDXB1200UPEZ Datasheet Pagina 11

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PMDXB1200UPEZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds43.2pF @ 15V
Potenza - Max285mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010B-6

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V

Potenza - Max

320mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W, 2.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 25V

Potenza - Max

4.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SO

CAS325M12HM2

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-REC™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

444A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 105mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1127nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

3000W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

ALD210800SCL

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

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